南宫NG28

上期南宫NG28通过X光扫描和精密拆解，揭开了原厂耳机与“某强”顶配在结构设计、元器件布局上的巨大差异。但真正的技术差距，往往藏在肉眼不可见的微观世界。本期，南宫NG28将借助聚焦离子束（FIB）和透射电子显微镜（TEM）这两把“纳米级手术刀”，深入芯片内部，从晶体管结构到金属互联层，彻底剖析两者的工艺差距。

聚焦离子束（FIB）——芯片的“纳米级解剖”

原厂芯片：高精度FinFET工艺

　　先进制程工艺：通过FIB截面分析，确认FIB图像确认原厂芯片采用FinFET先进工艺，具备13层金属互联结构，其中最薄金属厚度控制在≤100nm。

　　FinFET结构通过增加栅极对沟道的接触面积，显著提升静电控制力，漏电流降低90%以上从而使得待机功耗减少10倍。

“某强”芯片：平面MOSFET工艺局限性

　　成熟制程工艺：FIB截面成像显示，“某强”采用平面型MosFET架构。尽管工艺微缩使沟道长度进一步缩短，但是由于栅极对沟道的控制能力不足，导致漏电流显著增加，从而导致不必要的电耗以及发热。

透射电子显微镜（TEM）——原子级工艺对决

原厂耳机EDX元素分析

某强耳机EDX元素分析

原厂芯片：FinFET工艺的先进架构

　　晶体管结构（TEM表征）：

• FinFET架构：TEM图像清晰显示原厂芯片的FinFET的架构，原厂的栅极使用的是高介电常数（high-k）材料HfO2介质层。
• 低工作电压（VDD）：得益于优化的沟道掺杂分布及高迁移率载流子传输，该芯片可在0.7V超低电压下稳定运行（竞品通常需1.2V），使整体功耗降低，续航提升30%。
• 有序微结构：TEM观测到高度规则的50-80nm重复单元，符合SRAM缓存单元或数字逻辑电路栅极的典型特征，推测为芯片核心运算区域（如CPU/GPU运算模块）。

“某强”芯片：平面MOSFET的传统架构

　　晶体管结构分析（TEM表征）：

• 平面MOSFET工艺：TEM图像显示该芯片仍采用传统平面型MOSFET，栅极结构为多晶硅（poly-Si），并在接触孔（CT）底部及栅极顶部保留Ni-Si合金层以降低接触电阻。
• 制程节点判定：基于最小栅极尺寸测量，推断该芯片采用45nm工艺制程，该技术在国内供应链中已高度成熟，具备低成本、高良率优势。

　　两种技术路线的并存，反映了消费电子市场的多元化需求：

• 高端市场依赖先进制程迭代，以性能、能效和创新功能驱动溢价。
• 性价比市场依托成熟制程优化，通过供应链整合降低成本，覆盖大众用户。

　　在行业发展的关键阶段，厂商需持续在技术创新与成本控制之间寻求精妙平衡，以满足不同细分市场的多元化需求。

　　作为值得信赖的第三方检测机构，CTI南宫NG28检测依托先进的实验室与经验丰富的技术团队，致力于为行业客户提供全方位、高质量的失效分析检测服务，助力企业精准定位问题、优化产品性能、提升可靠性。