南宫NG28

半导体技术的飞速发展，促使集成电路向着高性能、高集成度、高可靠性的发展。随着先进封装技术不断发展，例如2.5D转接板技术、3D堆叠技术，这些复杂的封装结构也对芯片的无损检测提出了新的挑战。

　　与此同时，芯片集成度越来越高，制程与尺寸进一步缩小，常规的工业级X-ray已经显得力不从心。为了更好地服务客户，提高无损检测的准确性，CTI南宫NG28检测引入了蔡司最前沿的亚微米X射线扫描显微镜的Xradia 630 Versa。

　　xradia 630 versa机台整体图

　　xradia 630 versa机台内部实拍

　　设备详情

　　最高空间分辨率：0.45um，最小体素达40nm；
　　能量范围：30kV-160kV，功率最高25W；
　　样品规格：50*100*50mm 25kg（max）；

　　优点：
　　两级放大技术，在大工作距离下仍可以保证样品亚微米级分辨率成像；
　　垂直拼接，实现大样品高分辨率整体扫描。

　　成像原理

　　X射线基于透过样品的X射线形成图像，吸收射线越多的位置成像越暗，如果较多射线透过样品则图像较亮。密度和厚度越大吸收射线越多，通常情况下，元素周期表中原子序数越高的元素吸收X射线的能力越强，可区分出原子序数相差较大的元素。

　　机台成像原理

　　HART（高纵比断层扫描）

　　通过在扁平样品长边方向采集较少投影张数，短边方向采集较多投影张数得到高质量图像。

　　滤光片和先进算法
　　确保高质量的成像效果

　　一个完整的封装样品同时包含有机和无机材料，由于成像原理的限制，传统2.5D不能够很好的同时兼顾两者的成像，而Zeiss Xradia 630 Versa配套多种滤光片用来辅助成像，可以实现保证分辨率的情况下，同时保证样品不同材质的清晰成像。

　　同时系统配备强大的自动漂移矫正、射线硬化去除等算法手段，确保高质量输出图像。

　　因此除了在电子设备与半导体封装的应用外，还可以应用在生物、新能源、地质等领域，保证测试样品的材质可以横跨从无机材料到有机材料。

　　在电子设备与半导体封装的应用

• 　　非破坏情况下，对样品进行断层分析；
• 　　对2.5/3D和扇出型封装进行结构分析，工艺开发；
• 　　分析印刷电路板，以实现逆向工程；
• 　　在非破坏的情况下，对内部亚微米级的成像进行观察、定位异常；
• 　　可以代替物理切片或辅助物理切片进行定位。

　　显示2.5D封装中C4 bump
　　TSV和铜柱microbump

　　智能手机控制板中接疲劳裂纹

　　指纹传感器设备中缺陷铜柱焊针的三维可视图

　　非破坏情况下，对样品进行断层分析结果图

　　此次引入蔡司Xradia 630 Versa，不仅提升了实验室的检测能力，也为客户提供了更全面、更精准的解决方案。

　　CTI南宫NG28检测拥有专业的技术团队，可以根据客户的产品测试需求，从方案制定、测试硬件设计、硬件制作、测试及验证等全方位服务，可以为您提供一站式解决方案。

　　CTI南宫NG28检测还可以提供全面的芯片性能检测，可靠性验证，失效分析等服务。