南宫NG28

随着IC设计与制造流程的不断演进，针对集成电路器件出现异常的失效分析(Failure Analysis)变得越来越重要，难度也随之提升。在现代IC失效分析领域中，从成千上万的晶体管中如何既快速又准确的进行失效定位与分析，已成为提升芯片质量非常重要议题。

　　针对IC异常失效分析，可以优先从无损测试入手，通过OM、X-Ray、SAT、IV、Thermal等手段，确认失效表征及内部初步定位。

　　X-Ray

　　X-Ray是利用X射线在穿透不同材质不同密度物品中衰减程度不同得到不同衬度的图像。利用这一特性可以对样品进行无损的内部分析，是最常见的无损检测技术之一。

　　设备型号：ZEISS Xradia 630 Versa

　　空间分辨率：0.45μm

　　样品规格：50×100×50 mm，25 kg(max)

　　优点：超高分辨率、腔体尺寸大、可变扫描几何形状、扫描时间缩短。

　　作用：样品内部裂纹、形变、空洞、结构观察等。

　　应用：适用电子元件和半导体封装、生命科学、工业等领域。

　　案例：

　　超声波扫描显微镜(SAT)

　　超声波扫描显微镜(SAT)是通过发射高频超声波传递到样品内部，利用不同材质的声阻抗差异，检查样品内部的缺陷。它可无损观测IC内部结构，也可以单层或多层扫描检测IC内部各类缺陷（裂纹、分层、夹杂物、附着物、空洞、孔洞、晶界边界等）。

　　设备型号：Hitachi FineSAT V

　　扫描分辨率：1um

　　样品最大尺寸：350×350×80mm

　　作用：检测材料内部的空洞(Void)、裂纹(Crack)、异物等缺陷。

　　应用产品：晶圆、封装芯片、基板等

　　探头频率：覆盖15MHz-400MHz

　　优点：高精度、高分辨率、高扫描速度、设备操作更便捷

　　案例：

　　IV

　　IV可量测半导体器件的电学参数与特性，如：电容-电压(C-V)、电压-电流(I-V)、电阻(R)、电容(C)、电感(L)和讯号波形(Waveform)等来了解器件的失效行为，以利后续的分析动作。

　　设备型号：Keysight B1500A

　　最大输出范围：200V/1A

　　最大SMU通道数：10

　　最高测量分辨率：0.1fA/0.5uV

　　最高采样率：5ns

　　Thermal EMMI

　　Thermal EMMI的基本原理是利用高灵敏度的InSb探测器侦测IC在通电状态下，缺陷位置产生热辐射的分布，进而对缺陷定位。Thermal EMMI不仅能够直接透过裸芯正面或背面寻找缺陷位置，也可在未开盖的状态下定位失效点，进而区分失效点位于封装或是裸芯。

　　设备型号：Hamamatsu PHEMOS-1000

　　可探测波长上限：1100nm；

　　电压范围：-25 V–25 V；

　　最大电流：100 uA（高灵敏模式），100 mA（固定电压电流模式）

　　最低可探测电流：3 pA（高灵敏模式），1 nA（固定电压模式）

　　案例：

　　CTI南宫NG28检测芯片服务

　　CTI南宫NG28检测拥有专业的技术团队，可以根据客户的产品测试需求，从方案制定、测试硬件设计、硬件制作、测试及验证等全方位服务，可以为您提供一站式解决方案。

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